Контактная пайка в вакууме — идеальный вариант для силовой электроники
Система пайки Nexus гарантирует наилучшие результаты благодаря процессам пайки оплавлением с контактным переносом тепла под вакуумом. Это обеспечивает соответствие самым высоким требованиям в области корпусирования и силовой электроники. Таким образом вы получаете повышение производительности и качественные преимущества при производстве этих компонентов. Вакуум позволяет проводить бескислородные процессы пайки и обеспечивает улучшенное смачивание, а значит лучшее заполнение паяных соединений. Кроме того, вакуум значительно уменьшает пустоты в паяных соединениях и позволяет осуществлять такие процессы, как плазменная очистка и изменение атмосферы при расширенном монтаже. В стандартном исполнении можно использовать температуры до 400 °C.
для большей устойчивости
Области применения процесса контактной пайки
Области применения процесса контактной пайки чрезвычайно разнообразны. В связи с растущим спросом на альтернативную энергию также увеличивается спрос на силовую электронику, полупроводники и технологии для полупроводниковых пластин.
Они все чаще используются в железнодорожных приводах, ветряных турбинах, аккумуляторных батареях и, не в последнюю очередь, — в автомобильной промышленности. Контактная пайка представляет собой оптимальный процесс, позволяющий удовлетворить растущие требования к этим современным силовым модулям, и также гибридным и многокристальным компонентам — с точки зрения надежности и безопасности. Благодаря небольшим размерам и простоте использования эта система отлично подходит для применения в мало- и среднесерийных производствах, а также в лабораториях.
В чем преимущества контактной передачи тепла?
- Безоксидная и беспустотная поверхность соединения от микросхемы к носителю схемы
- Интегрированная или раздельная реализация процессов очистки и удаления
- Быстрый нагрев и охлаждение
- Установка в корпус в условиях регулируемого вакуума
- Интеграция процессов сушки и дегазации
- Улучшенное отведение потерь тепла в беспустотных соединениях
